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透射電鏡全角度三維重構(gòu)樣品桿

簡要描述:透射電鏡全角度三維重構(gòu)樣品桿在搭載直徑3 mm銅網(wǎng)的傳統(tǒng)三維重構(gòu)樣品臺的基礎(chǔ)上延伸,采用彈頭的單軸旋轉(zhuǎn)方式進(jìn)行繞樣品臺全角度360°觀察,可以接受棒狀或圓錐形樣品。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2023-12-27
  • 訪  問  量: 5020

詳細(xì)介紹


TEM其它-全角度三維重構(gòu).png

CHIPNOVA Single-tilt Tomography Holders(全角度三維重構(gòu)樣品桿)在普通三維重構(gòu)樣品桿的基礎(chǔ)上升級而來,采用圓錐形單軸360°旋轉(zhuǎn)方式,全角度得到樣品更多二維成像信息,避免鍥形信息丟失。



我們的優(yōu)勢

創(chuàng)新設(shè)計

1.高強(qiáng)度鈦合金特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計,高精度加工,經(jīng)久耐用。

2.C型針尖創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計,保證銅網(wǎng)穩(wěn)定性,不會對EDS分析造成干擾。

3.可替換式針尖,方便同一樣品在TEM、FIB、AP等多平臺轉(zhuǎn)移,獲取更全面信息。


高質(zhì)量成像

1.單軸針尖可360°高精度旋轉(zhuǎn),獲取更多二維成像信息,避免鍥形信息丟失。

2.C型針尖為3mmHalf-Grid設(shè)計,α角最大旋轉(zhuǎn)角度為±90°,避免樣品陰影,提供高質(zhì)量層析成像數(shù)據(jù)。



技術(shù)參數(shù)

類別項目參數(shù)
基本參數(shù)桿體材質(zhì)高強(qiáng)度鈦合金
樣品直徑棒狀、圓錐形、3mm Half-Grid
漂移率<0.5 nm/min(穩(wěn)定狀態(tài))
分辨率電鏡極限分辨率
兼容電鏡Thermo Fisher/FEI,JEOL,Hitachi
(HR)TEM/STEM支持
(HR)EDS/EELS/SAED支持




   







應(yīng)用案例

電子斷層掃描對納米尺度地質(zhì)材料的三維分析

參考文獻(xiàn)來源:Three-dimensional Analyses of Geological Materials on Nanoscale by Electron Tomography[J]. Atomic Spectroscopy, 2022.

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最大傾斜角度為±54°、間隔為6°的一系列傾斜圖像重建結(jié)果。


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同一樣品的元素和氧化態(tài)重構(gòu)模型的3D視圖。












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